Modélisation de l'inverse de la pente sous seuil des transistors FETs nanométriques
Thèses / mémoires Ecrit par: Abdi, Mohamed Amir ; Université El Hadj Lakhder de Batna ; Djeffal, Fayçal ;
Batna:
Langue:
Français
Collation:
[96 p.] ill.
;30 cm
Diplôme:
Magister
Etablissement de soutenance:
Batna, Université du Hadj Lakhdar. Faculté des Sciences de l'Ingénieur
Spécialité:
Electronique
Index décimal
600 .Technologie (sciences appliquées)
Thème
Electronique
Mots clés:
Transistors MOSFET
Elements finis, Méthode des
Ingénierie et activités connexes
:Analyse numérique appliquée
Note: Bibliogr.pp.76-79; Annexe pp.[80-96]
