Modélisation de l'inverse de la pente sous seuil des transistors FETs nanométriques
الأطروحات و الكتابات الأكاديمية من تأليف: Abdi, Mohamed Amir ; Université El Hadj Lakhder de Batna ; Djeffal, Fayçal ;
Batna:
لغة:
فرنسية
الوصف المادي:
[96 p.] ill.
;30 cm
الشهادة:
Magister
مؤسسة مناقشة الرسالة:
Batna, Université du Hadj Lakhdar. Faculté des Sciences de l'Ingénieur
تخصص:
Electronique
الفهرس العشري
600 .التكنولوجيا (العلوم التطبيقية)
الموضوع
الإلكترونيك
الكلمات الدالة:
Transistors MOSFET
Elements finis, Méthode des
Ingénierie et activités connexes
:Analyse numérique appliquée
ملاحظة: Bibliogr.pp.76-79; Annexe pp.[80-96]
