Modélisation et simulation prédictive du transistor MOSFET fortement submicronique
Application à la conception des dispositifs intégrés
الأطروحات و الكتابات الأكاديمية من تأليف: Fayçal, Djeffal ; Chahdi, M ; نشر في: 2006
ملخص: L’objectif de la démarche est de délivrer de meilleures performances à moindre coût. Des circuits plus petits réduisent la surface globale de la puce électronique et permettent donc de produire plus de transistors sur un même wafer et réduire le prix de fabrication. L’augmentation de la densité d’intégration et l’amélioration des performances sont rendues possibles par la diminution de la taille des transistors.
Batna:
لغة:
فرنسية
الوصف المادي:
142 p. ill.
;30 cm
الشهادة:
Docteur Es Sciences
مؤسسة مناقشة الرسالة:
Biskra, Université Mohamed Khider. Faculté des Sciences et des Sciences de l'Ingénieur
تخصص:
Electronique
الفهرس العشري
600 .التكنولوجيا (العلوم التطبيقية)
الموضوع
الإلكترونيك
الكلمات الدالة:
Transistors MOSFET
ملاحظة: Bibliogr.pp.133-142; Annexe pp.[143-144]