Résumé: Ce travail présente le principe des techniques de l’intelligence artificielle et leurs applications dans le domaine de la modélisation et la simulation des composants électroniques nanométriques. on présentant le le transistor MOS bulk ainsi que les problèmes engendrés par sa miniaturisation, évoque ensuite les solutions technologiques, on proposant un modèle de prédiction à base des réseaux de neurones (ANN) capable de prédire les variations du courant de drain du transistor GAA MOSFET nanométrique en fonction des sept paramètres, à savoir : la tension de drain, la tension de grille, la température, l’épaisseur de l’oxyde, l’épaisseur du Silicium, l’over lap et la longueur de la grille .enfin on signale l’applicabilité des réseaux de neurones artificiels pour l’étude et la simulation des circuits électroniques nanométriques.

Batna:
Langue: Français
Collation: 105 p. ill. ;30 cm
Diplôme: Magister
Etablissement de soutenance: Batna, Université du Hadj Lakhdar. Faculté des Sciences de l'Ingénieur
Spécialité: Electronique
Index décimal 006.3 .Intelligence artificielle (ouvrages généraux sur l'intelligence artificielle et la science cognitive, reconnaissance de formes comme outil de l'intelligence artificielle, systèmes de questions et réponses)
Thème Electronique

Mots clés:
Transistors MOSFET
MOS (système d'exploitation des ordinateurs)
Réseaux neuronaux (informatique)
Microélectronique
Intelligence artificielle
Circuits électroniques

Note: Bibliogr.pp.99-105