Résumé: Le but de ce mémoire est l’étude des défauts (états rapides et états lents) de l'interface silicium/isolant. La première partie de ce mémoire est la suite d'un travail de thèse sur l'analyse en profondeur des défauts de l'interface si-sio2 par la technique du pompage de charges. Dans un premier temps, nous avons montre que le profil de pièges obtenu par cette technique est du a une distribution de constantes de temps de capture et non a une distribution en énergie des valeurs de section de capture. Nous avons trouve aussi que les fluctuations de potentiel de surface contribuent a l’élargissement du pic du profil brut simule ce qui est en très bon accord avec le profil brut mesure. Dans un deuxième temps, nous avons compare les deux modèles de capture par effet tunnel pur et de capture activée thermiquement. Le premier est plus favorable pour expliquer la partie du plateau tandis que le second est plus adapte pour la partie exponentielle du profil. Enfin nous avons compare les profils mesures par pompage de charges avec ceux obtenus par la technique de tanner et al. Dans la deuxième partie de ce travail, nous avons présente deux techniques de caractérisation de l'interface si-sio2 dans les mosfet's a oxyde ultra mince. L'une est basée sur l'approche silc, l'autre sur le pompage de charges. Ces deux techniques ont été utilisées pour étudier l’évolution de la densité de défauts avec le stress électrique. Nous avons montre que la cinétique de generation de défauts obtenue par pompage de charges est inférieure a celle obtenue par l'approche silc pour des épaisseurs d'oxyde entre 1. 2 nm et 2. 3 nm.

Grenoble:
Langue: Français
Collation: 129 p. ill. ;30 cm.
Diplôme: Doctorat
Etablissement de soutenance: Grenoble, Institut National Polytechnique
Spécialité: Automatique
Index décimal 621 .Physique appliquée (électrotechnique, génie civil, génie mécanique, ingénierie appliquée, principes physiques en ingénierie)
Thème Informatique

Mots clés:
MOS (électronique)
silicium

Note: Bibliogr. pp.119-128