ملخص: Ce travail présente le principe des techniques de l’intelligence artificielle et leurs applications dans le domaine de la modélisation et la simulation des composants électroniques nanométriques. on présentant le le transistor MOS bulk ainsi que les problèmes engendrés par sa miniaturisation, évoque ensuite les solutions technologiques, on proposant un modèle de prédiction à base des réseaux de neurones (ANN) capable de prédire les variations du courant de drain du transistor GAA MOSFET nanométrique en fonction des sept paramètres, à savoir : la tension de drain, la tension de grille, la température, l’épaisseur de l’oxyde, l’épaisseur du Silicium, l’over lap et la longueur de la grille .enfin on signale l’applicabilité des réseaux de neurones artificiels pour l’étude et la simulation des circuits électroniques nanométriques.

Batna:
لغة: فرنسية
الوصف المادي: 105 p. ill. ;30 cm
الشهادة: Magister
مؤسسة مناقشة الرسالة: Batna, Université du Hadj Lakhdar. Faculté des Sciences de l'Ingénieur
تخصص: Electronique
الفهرس العشري 006.3 .الذكاء الاصطناعي (يعمل بشكل عام على الذكاء الاصطناعي والعلوم المعرفية ، والاعتراف من أشكال كأداة الذكاء الاصطناعي ، أنظمة السؤال والجواب)
الموضوع الإلكترونيك

الكلمات الدالة:
Transistors MOSFET
MOS (système d'exploitation des ordinateurs)
Réseaux neuronaux (informatique)
Microélectronique
Intelligence artificielle
Circuits électroniques

ملاحظة: Bibliogr.pp.99-105