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تفاصيل البطاقة الفهرسية

Simulation du profil du potentiel dans les CCD irradiés

الأطروحات و الكتابات الأكاديمية من تأليف: Dejendaoui, Dahmane ; Dehimi, Lakhdar ; نشر في: 2006

ملخص: Les dispositifs à transfert de charge (CCD : charge coupled device) ont trouvé des applications dans le domaine de la physique énergétique comme une base de détection de particules (transducteurs). A cause de leurs haute précision et haute résolution les CCD seront utilisés comme détecteurs de particules dans les accélérateurs linéaires de haute énergie. Dans leur opération, ils sont soumis aux effets des particules, ce qui entraîne la dégradation de leur performance

Biskra:
لغة: فرنسية
الوصف المادي: 76 p. ill. ;30 cm
الشهادة: Magister
مؤسسة مناقشة الرسالة: Biskra, Université Mohamed Khider. Faculté des Sciences et des Sciences de l'Ingénieur
تخصص: Electronique
الفهرس العشري 600 .التكنولوجيا (العلوم التطبيقية)
الموضوع الإلكترونيك

الكلمات الدالة:
Raccords (technologie)
Analyse numerique

ملاحظة: Bibliogr.pp.72-73; Annexe pp.74-76

Simulation du profil du potentiel dans les CCD irradiés

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